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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BD240CTU 

产品描述

Trans GP BJT PNP 115V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail

内部编号

3-BD240CTU

#1

数量:300
3+¥2.443
10+¥2.332
50+¥2.125
250+¥1.867
1000+¥1.698
最小起订金额:¥1850
比利时布鲁塞尔
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:300
3+¥2.443
10+¥2.332
50+¥2.125
250+¥1.867
1000+¥1.698
最小起订金额:¥1850
比利时布鲁塞尔
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:10950
1+¥2.3885
25+¥2.2344
100+¥2.0804
500+¥2.0033
1000+¥1.9262
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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BD240CTU产品详细规格

规格书 BD240CTU datasheet 规格书
BD240CTU datasheet 规格书
文档 Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 700mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 300µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 15 @ 1A, 4V
功率 - 最大 30W
频率转换 -
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
包装材料 Tube
包装 3TO-220
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 115 V
集电极最大直流电流 2 A
最小直流电流增益 40@200mA@4V|15@1A@4V
最大集电极发射极饱和电压 0.7@0.2A@1A V
最大集电极基极电压 100 V
工作温度 -65 to 150 °C
最大功率耗散 30000 mW
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
集电极最大直流电流 2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220
最低工作温度 -65
最大功率耗散 30000
最大基地发射极电压 5
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
供应商封装形式 TO-220
最大集电极发射极电压 115
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 700mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止(最大) 300µA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 TO-220
功率 - 最大 30W
封装/外壳 TO-220-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 15 @ 1A, 4V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
零件号别名 BD240CTU_NL
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 15
单位重量 0.063493 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 115 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 2 A
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.7 V
系列 BD240C
集电极 - 基极电压VCBO - 100 V
最低工作温度 - 65 C
集电极电流( DC)(最大值) 2 A
集电极 - 基极电压 100 V
集电极 - 发射极电压 115 V
发射极 - 基极电压 5 V
功率耗散 30 W
工作温度范围 -65C to 150C
包装类型 TO-220
元件数 1
直流电流增益(最小值) 40
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
直流电流增益 40
集电极电流(DC ) 2 A
案例 TO220
Transistor type PNP
功率 30W
极化 bipolar
Multiplicity 1
Collector-emitter voltage 115V
Gross weight 3.09 g
频率 3MHz
Collector current 2A
Collective package [pcs] 50
spg 50
宽度 4.7 mm (Max)
品牌 Fairchild Semiconductor
长度 10.1 mm (Max)
身高 9.4 mm (Max)
Pd - Power Dissipation 30 W

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